β-SiC(001)-(2×1)表面结构的第一性原理研究

• 作者: 徐彭寿 李拥华 潘海斌
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 缀加平面波加局域轨道方法 原子结构 电子结构
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5824-5829
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4896字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.12.055

摘要

利用缀加平面波加局域轨道(APW+LO)的第一性原理方法计算了β-SiC(001)-(2×1)表面的原子及电子结构.原子结构的计算结果表明,与Si(001)-(2×1)表面的非对称性Si二聚体模型不同,β-SiC(001)-(2×1)表面为对称性的Si二聚体模型,其二聚体的Si原子间键长也较大,为0.269 nm.电子结构的计算结果表明,在费米能级处有明显的态密度,因此β-SiC(001)-(2×1)表面呈金属性.在带隙附近存在四个表面态带,其中的两个占有表面态带已由价带的同步辐射光电子能谱实验得到证实.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐彭寿	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	70	488	10.0	19.0
2	潘海斌	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	26	230	5.0	15.0
3	李拥华	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	7	55	4.0	7.0