四角对称晶场中4B1(3d3)态离子的磁相互作用及其自旋哈密顿参量研究

• 作者: 杨子元 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 4B1(3d3)态离子 磁相互作用 自旋哈密顿参量 完全对角化方法(CDM) 微扰理论方法(PTM)
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2883-2892
• 页数: 10页
• 分类号: O4
• 字数: 8822字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.06.076

摘要

基于完全对角化方法,研究了4B1(3d3)态离子在四角对称晶场中的磁相互作用,分析了自旋哈密顿参量(b02, g∥, g⊥, Δg)的微观起源.结果表明:在被考虑的大部分晶场区域,人们通常考虑的SO(spin-orbit)磁相互作用的贡献最为重要;然而,对于零场分裂参量b02而言,来自其他机理(包括SS(spin-orbit),SOO(spin-other-orbit),SO-SS-SOO)的贡献在大部分晶场区域超过了20%;在部分晶场区域,其他机理的贡献甚至超过SO机理的贡献.详细地分析了Macfarlane 零场分裂参量b02近似三阶微扰理论的收敛性,结果表明:该理论在大部分晶场区域收敛性较差.讨论了3d3态离子第一激发态2Eg分裂的微观起源.并利用群论方法解释了在C4v和C3v对称晶场中2Eg态分裂的不同机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0