IGBT技术现状及发展趋势

• 作者: 周志敏
• 来源期刊: 现代家电
• 年，卷（期）: 2005,（19）
• 所属期刊栏目: 技术发展
• 页码范围: 19-20
• 页数: 2页
• 语种: 中文

摘要

IGBT是新型电力电子器件的主流器件之一,国外IGBT已发展到第三代.IGBT在设计上将MOS和双机型晶体管结合起来,在性能上兼有双极型器件压降小、电流密度大和MOS器件开关快、频率特性好的双重优点;在制造业上,在高电压、大电流的晶闸管制造技术基础上采用了集成电路微细加工技术.目前国外生产IGBT的公司有:日本的三菱、东芝、富士、日立;美国的IR、IXYS、SGS、THOMSONS,MOTOROLA;德国的西门子等.