多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析

• 作者: 刘玉贵 吕苗 武一宾 赵正平 郝跃 郭荣辉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单电子晶体管 量子点 库仑阻塞
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1804-1808
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3630字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.060

摘要

在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点,制作出多岛结构的单电子晶体管.在77 K温度下对源漏特性进行了测试,得到了库仑阻塞特性.并且成功抑制了单岛单电子晶体管中易出现的共隧穿效应,观察到较大的库仑阈值电压.对试验数据进行了分析,阐明了岛的不同结构组态产生的不同输运效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	吕苗		13	61	3.0	7.0
3	刘玉贵		8	15	2.0	3.0
4	郭荣辉	西安电子科技大学微电子研究所	5	9	2.0	2.0
5	赵正平	西安电子科技大学微电子研究所	3	7	2.0	2.0
6	武一宾		3	5	2.0	2.0