4H-SiC n-MOSFET的高温特性分析

• 作者: 吴海平 徐静平 李春霞
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: n-MOSFET 4H-SiC 迁移率 阈值电压
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2918-2923
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3673字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.06.081

摘要

通过考虑迁移率和阈值电压随温度的变化关系,模拟分析了4H-SiC n-MOSFET高温下的电学特性,模拟结果与实验有较好的符合.并进一步讨论了主要结构参数和工艺参数对高温电特性的影响及其最佳取值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学电子科学与技术系	88	358	9.0	13.0
2	吴海平	华中科技大学电子科学与技术系	5	45	3.0	5.0
3	李春霞	华中科技大学电子科学与技术系	9	38	4.0	6.0