ICP源MOSFET射频振荡器

• 作者: 刘平 张悦英 王洋
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: ICP MOSFET 射频振荡器 等离子体
• 年，卷（期）: 2005,（24）
• 所属期刊栏目: 元器件与应用
• 页码范围: 1-2,4
• 页数: 3页
• 分类号: TN752.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2005.24.004

摘要

介绍了ICP(感应耦合等离子体)C类射频振荡器的设计和调试结果.低温等离子体的应用已经非常广泛.以感应耦合方式将射频能量送入中性气体中激发等离子体,已经成为重要的等离子体源类型之一.传统的功率射频发生器大多使用电子管,体积大,也比较笨重.在射频发生器和等离子体装置之间需要设置射频传输线和匹配箱.以MOSFET代替传统的电子管作为有源器件组成的振荡器,体积很小,可以与等离子体源直接连接,省去了射频传输线和传输线终端的匹配箱.振荡器的频率为13.56 MHz,输出功率为200 W.试验结果达到了设计要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘平	郑州大学信息工程学院	59	239	8.0	11.0
2	王洋	郑州大学信息工程学院	16	31	3.0	5.0
3	张悦英	郑州大学信息工程学院	2	14	2.0	2.0