B型缓冲电路用于MOSFET逆变器的仿真分析

• 作者: 余向阳 余娟 郑湘渝
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 场效应晶体管 逆变器 缓冲电路 仿真
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 85-87,92
• 页数: 4页
• 分类号: TP391.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2005.12.038

摘要

针对B型缓冲电路用于以大功率MOSFET为主开关器件的全桥逆变器时所存在的受各种因素影响较大的问题,在缓冲电路组数不同、开关频率不同、负载性质不同以及缓冲电路各参数不同等情况下使用PSpice仿真软件进行仿真,通过仿真波形分析上述各因素对开关管尖峰电压吸收效果的影响,得出了一些有益的结论,对设计B型缓冲电路时有重要的参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余向阳	西安理工大学自动化与信息工程学院	49	398	12.0	18.0
2	郑湘渝	西安理工大学自动化与信息工程学院	3	21	2.0	3.0
3	余娟	西安理工大学自动化与信息工程学院	3	21	2.0	3.0