Dy掺杂对Sr2Bi4Ti5O18铁电陶瓷性能的影响

• 作者: 朱骏 毛翔宇 羌锋 陈小兵
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Sr2Bi4Ti5O18陶瓷 Dy掺杂 铁电性能 居里温度
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5422-5427
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 5671字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.076

摘要

用传统固相烧结法制备了Sr2Bi4-xDyxTi5O18(SBDT-x,x=0-0.20)陶瓷样品.x射线衍射分析表明,微量的Dy掺杂没有影响Sr2Bi4Ti5O18(SBTi)原有的层状钙钛矿结构.通过研究样品的介电特性,发现Dy掺杂减小了材料的损耗因子,降低了样品铁电-顺电相转变的居里温度.铁电性能测量结果表明,随Dy含量的增加,SBDT-x系列样品的剩余极化先增大,后减小.当Dy掺杂量为O.01时,剩余极化达到最大值,约为20.1 μC·cm-2.掺杂引起剩余极化的变化,与材料中缺陷浓度、内应力以及晶格畸变程度等因素有关,是多种作用机理相互竞争的结果.(Bi2O2)2+层通常被看作是绝缘层和空间电荷库,对材料的铁电性能起关键作用.掺杂离子进入(Bi2O2)2+层会导致铁电性能变差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛翔宇	扬州大学物理科学与技术学院	32	117	7.0	9.0
2	陈小兵	扬州大学物理科学与技术学院	56	224	8.0	11.0
3	朱骏	扬州大学物理科学与技术学院	30	125	7.0	9.0
4	羌锋	扬州大学物理科学与技术学院	2	24	1.0	2.0