埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响

• 作者: 刘忠立 张国强 张恩霞 易万兵 李宁 王曦 范楷 郑中山 陈猛
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SOI nMOSFET 氮注入 电子迁移率 阈值电压
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 348-353
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3811字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.01.064

摘要

研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOI nMOSFET的特性产生的影响.实验发现,与不注氮的SIMOX基片相比,由注氮SIMON基片制作的nMOSFET的电子迁移率降低了.且由最低注入剂量的SIMON基片制作的器件具有最低的迁移率.随注入剂量的增加,迁移率略有上升,并趋于饱和.分析认为,电子迁移率的降低是由于Si/SiO2界面的不平整造成的.实验还发现,随氮注入剂量的提高,nMOSFET的阈值电压往负向漂移.但是,对应最低注入剂量的器件阈值电压却大于用SIMOX基片制作出的器件.固定氧化物正电荷及界面陷阱密度的大小和分布的变化可能是导致阈值电压变化的主要因素.另外发现,用注氮基片制作出的部分耗尽SOI nMOSFET的kink效应明显弱于用不注氮的SIMOX基片制作的器件.