NBT导致的深亚微米PMOS器件退化与物理机理

• 作者: 刘红侠 郑雪峰 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 深亚微米PMOS器件 负偏压温度不稳定性 界面态 氧化层固定正电荷
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1373-1377
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2749字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.065

摘要

研究了深亚微米PMOS器件在负偏压温度(negative bias temperature,NBT)应力前后的电流电压特性随应力时间的退化,重点分析了NBT应力对PMOS器件阈值电压漂移的影响,通过实验证明了在栅氧化层和衬底界面附近的电化学反应和栅氧化层内与氢相关的元素的扩散,是PMOS器件中NBT效应产生的主要原因.指出NBT导致的PMOS器件退化依赖于反应机理和扩散机理两种机理的平衡.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子研究所	91	434	10.0	15.0
3	郑雪峰	西安电子科技大学微电子研究所	12	39	4.0	6.0