SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性

• 作者: 孙璟兰 孟祥建 林铁 石富文 褚君浩 马建华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SrTiO3薄膜 MIS结构 介电性能 Si/STO界面
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1390-1395
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4527字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.068

摘要

采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SiTiO3(STO)薄膜.研究了STO薄膜金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明,STO薄膜显示出优异的介电性能,在10kHz处的介电常数约为105,损耗低于0.01,这来源于多晶结构和良好的结晶性;MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为1.5×1012cm-2和(1.4-3.5)×1012 cm-2 eV-1,这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马建华	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	26	105	6.0	9.0
2	褚君浩	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	103	650	13.0	22.0
3	孙璟兰	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	13	57	4.0	7.0
4	孟祥建	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	15	65	5.0	7.0
5	林铁	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	5	10	1.0	3.0
6	石富文	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	4	30	3.0	4.0