带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态

• 作者: 姚飞 左玉华 张建国 成步文 李传波 毛容伟 王启明 罗丽萍 薛春来
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiGe合金 应变 带隙
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4350-4353
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2741字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.09.070

摘要

从固体模型理论的结果出发,计算了生长于Si(100)衬底上x值小于0.85的Si1-xGex合金材料(能带结构为类Si结构)的间接带隙与应变的关系,结果表明,应变的SiGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系.基于这一结果,提出了用测量带隙来间接测定SiGe/Si应变状态的方法.用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应变状态下的SiGe/Si多量子阱材料的应变弛豫度,两者可以较好的符合,表明带隙法测量SiGe应变弛豫度是可行的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建国	中国科学院半导体研究所	86	894	16.0	24.0
2	王启明	中国科学院半导体研究所	118	735	14.0	20.0
3	左玉华	中国科学院半导体研究所	18	70	6.0	7.0
4	毛容伟	中国科学院半导体研究所	8	32	4.0	5.0
5	成步文	中国科学院半导体研究所	41	185	8.0	10.0
6	姚飞	中国科学院半导体研究所	16	70	6.0	7.0
7	薛春来	中国科学院半导体研究所	24	77	6.0	7.0
8	李传波	中国科学院半导体研究所	10	38	4.0	6.0
9	罗丽萍	中国科学院半导体研究所	7	6	1.0	2.0