成分调制的La1-xSrx MnO3复合隧道结

• 作者: 严辉 丰家峰 于敦波 应启明 张国成 杜永胜 韩秀峰
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: La1-xSrxMnO3 半金属 成分调制 复合磁性隧道路 隧穿磁电阻
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4903-4908
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3663字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.10.077

摘要

利用磁控溅射和Sr成分的调制以及原位热处理方法,在10mm×10mm大小的(001)取向SrTiO3单晶衬底上制备出三明治结构为La0.7Sr0.3MnO3(100nm)/La0.96Sr0.04MnO3(5nm)/La0.7Sr0.3MnO3(100nm)的隧道结外延薄膜,然后再次利用磁控溅射方法,在三层单晶膜上方继续沉积Ir22Mn78(15nm)/Ni79Fe21(5nm)/Pt(20nm)等金属三层膜.最后利用深紫外曝光和Ar离子束刻蚀等微加工技术,制备出长短轴分别为12和6μm或者8和4μm大小的椭圆形La1-xSrxMnO3成分调制的复合磁性隧道结.在4.2K和外加磁场8 T的测试下,La1-xSrxMnO3成分调制的复合磁性隧道结其隧穿磁电阻(TMR)比值达到3270%,直接从实验上证实了铁磁性La07Sr0.3MnO3金属氧化物的自旋极化率(97%)可接近100%,具有很好的半金属性质.