α-Al2O3(0001)表面原子缺陷对ZnO吸附影响

• 作者: 刘永华 李言荣 杨春 颜其礼
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 表面缺陷 吸附 α-Al2O3(0001) ZnO
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2364-2368
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3521字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.073

摘要

理论计算.电子局域函数显示了表面空位处的电子密度变化,表面Al原子空缺处有非常明显的缺电子区域,悬挂键临近O的电子密度增大,有利于对Zn的吸附;O原子空缺处的Al原子处存在孤立电子,其ELF值为0.05-0.3,将有利于同电负性较大的O或O2-结合.通过吸附动力学模拟与体系能量的计算发现,表面缺陷显著增强了表面的化学吸附,空缺原子处都被吸附原子填补,吸附结合能远大于单晶表面的情况.在Al空缺的表面,由于ZnO的O与表面O形成双键,破坏了α-Al2O3(0001,表面O六角对称结构,减小了O的表面扩散,从而不利于规则的ZnO薄膜生长.相反,O的空缺表面,弥补了α-Al2O3(0001,表面O空位缺陷,不影响基片表面O六角对称结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李言荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	115	824	15.0	21.0
2	杨春	四川师范大学数学与软件科学学院	89	760	14.0	24.0
3	刘永华	中国物理工程研究院化工材料研究所	3	23	3.0	3.0
4	颜其礼	四川师范大学固体物理研究所	4	39	3.0	4.0