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摘要:
借助高分辨电子显微像结合解卷处理的方法研究了GaN晶体中的堆垛层错.简要介绍了高分辨电子显微像的解卷处理原理,指出通过解卷处理可以把本来不直接反映待测晶体结构的高分辨电子显微像转换为直接反映晶体结构的图像.用高分辨电子显微像观察了GaN晶体中的堆垛层错,对高分辨电子显微像作了解卷处理.在解卷像上清晰可见缺陷核心的原子排列情况,据此确定了层错的类型.此外,还讨论了解卷处理在研究晶体缺陷中的效用.
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文献信息
篇名 GaN晶体中堆垛层错的高分辨电子显微像研究
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 GaN 晶体缺陷 高分辨电子显微学 解卷处理
年,卷(期) 2005,(9) 所属期刊栏目 凝聚物质:结构、热学和力学性质
研究方向 页码范围 4273-4278
页数 6页 分类号 O4
字数 4719字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.09.057
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李方华 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室 31 48 4.0 5.0
2 万威 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室 4 11 2.0 3.0
3 唐春艳 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室 7 15 3.0 3.0
4 王玉梅 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室 16 190 6.0 13.0
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研究主题发展历程
节点文献
GaN
晶体缺陷
高分辨电子显微学
解卷处理
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
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