多晶Sr2Fe1-xAlxMoO6的晶粒内低场磁电阻效应

• 作者: C.K.Ong 刘志国 千正男 李妍 王先杰 程金光 苏文辉 隋郁
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 低场磁电阻 掺杂 自旋极化电子
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 907-911
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2081字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.02.070

摘要

用传统的固相反应法合成了Fe位掺杂Al的双钙钛矿型氧化物Sr2Fe1-xAlxMoO6 (x=0.0,0.05,0.10,0.15,0.3)多晶材料. x射线衍射和扫描电子显微分析显示,在Fe位掺杂Al既没有引入杂相,也没有明显改变Sr2FeMoO6多晶材料的晶粒尺寸和晶界状态. 非磁性Al离子的掺杂使晶粒内部磁有序区细化成更小的区域,同时使反铁磁区内的磁耦合作用变弱. 这一方面提高了亚铁磁区磁化方向的磁场灵敏度;另一方面也降低了反铁磁区对自旋相关电子的散射;两方面的共同作用使Sr2FeMoO6的低场磁电阻效应明显增强,但这种尺寸效应也使材料的磁电阻在高温下下降得更快.