事件相关电位对短暂性脑缺血发作患者认知功能的评估

• 作者: 王荫华 董艳娟
• 来源期刊: 中国临床康复
• 学科: 医学
• 关键词: 脑缺血发作,短暂性 事件相关电位,P300 认知
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 临床研究
• 页码范围: 22-23
• 页数: 2页
• 分类号: R743
• 字数: 2985字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1673-8225.2005.05.012

摘要

目的:对短暂性脑缺血发作患者的事件相关电位进行研究,以发现短暂性脑缺血发作是否对患者的认知功能有影响.方法:2002-12/2003-12解放军北京军区总医院干部病房收治短暂性脑缺血发作患者28例,年龄42～81岁;年龄、性别及受教育程度匹配的对照组28例.应用经典的Oddball刺激模式,对所有受试者进行P300的测试.结果:病例组P300的潜伏期较对照组延长[Fz:(363.6±39.2)ms,Cz:(355.0±41.5)ms,Pz:(357.0±42.0)ms,P＜0.01],波幅降低[Fz:(3.0±1.7)μV,Cz:(2.8±1.6)μV,Pz:(3.3±1.5)μV,P＜0.05].结论:短暂性脑缺血发作对患者的认知功能是有一定影响的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王荫华	北京大学医学部第一附属医院神经内科	68	1006	18.0	28.0
2	董艳娟	北京大学医学部第一附属医院神经内科	1	1	1.0	1.0