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文献信息
篇名 Key Power Semiconductor Device Concepts for the Next Decade
来源期刊 电源世界 学科 工学
关键词 MOSFET IGBT 功率半导体 制备
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1-6
页数 6页 分类号 TM92
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
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引文网络
引文网络
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2006(0)
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研究主题发展历程
节点文献
MOSFET
IGBT
功率半导体
制备
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电源世界
双月刊
1561-0349
大16开
北京市团结湖北路2号
1998
chi
出版文献量(篇)
8016
总下载数(次)
25
总被引数(次)
6309
论文1v1指导