GaAs基RTD与MSM光电集成

• 作者: 张世林 李益欢 梁惠来 毛陆虹 胡艳龙 郭维廉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿二极管 金属-半导体-金属光电探测器 器件模拟 单片光电集成
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 641-645
• 页数: 5页
• 分类号: TN313
• 字数: 269字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.04.011

摘要

报道了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)与金属-半导体-金属光电探测器(MSM PD)单片集成的两种光电集成电路,并在室温条件下分别测试了RTD器件、MSM器件和集成电路的电学特性.测试表明:RTD器件的峰谷电流比为4;由于改进了在半绝缘GaAs衬底上制作MSM的方法,5V偏压下的电流由原来的2μA增加到了18μA,基本实现了两种电路的逻辑功能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	张世林	天津大学电子信息工程学院	109	334	8.0	11.0
3	郭维廉	天津大学电子信息工程学院	145	419	10.0	12.0
4	梁惠来	天津大学电子信息工程学院	37	130	7.0	9.0
5	李益欢	天津大学电子信息工程学院	4	6	2.0	2.0
6	胡艳龙	天津大学电子信息工程学院	1	2	1.0	1.0