极紫外光刻光源

• 作者: P.C hoi 邱孟通
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 极紫外 光刻 极紫外光刻 下一代光刻
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(光刻技术)
• 页码范围: 406-408,417
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2561字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.06.002

摘要

分析了极紫外光刻技术作为下一代光刻技术的首选技术目前飞速发展阶段的状况,表明欧、美、日、俄等国家和地区在该领域集中了大量的人力、物力的目标是将光刻精度提高到50nm.指出了极紫外光源是极紫外光刻的核心设备,目前的主要研究方向是提高能量转换效率和输出功率,提高系统各部分的寿命,降低成本等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱孟通		28	56	4.0	6.0