不同栅氧厚度NMOS管的热载流子效应

• 作者: 张骏
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 热载流子效应 栅氧厚度 寿命
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 字数: 1586字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2006.06.010

摘要

文章主要讨论在相同工艺条件下,针对不同栅氧厚度(例如:Tox分别为150A、200A、250A)的NMOSFET进行加速应力试验,在试验中当某些参数的漂移量达到失效判据规定的值时(例如:阈值电压改变50mV),可以得到器件的应力寿命,由此估计该器件在正常工作条件下的寿命值,并对该工艺的热栽流子注入效应进行评价.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张骏	东南大学电子工程系	10	57	4.0	7.0