N+注入硅中氮-空位复合体的红外光谱

• 作者: 杨德仁 汪雷 陈海龙 马向阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 N离子注入 红外吸收光谱 氮-空位复合体
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1209-1212
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 1984字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.010

摘要

利用离子注入以100和180keV的能量和5×1015cm-2的剂量向单晶硅片双面注入氮杂质,然后进行不同温度的快速热处理(RTP).利用傅里叶红外(FTIR)光谱研究不同温度RTP处理后的注氮硅中氮杂质的行为.研究发现,经过750～900℃的RTP处理50s后,样品的FTIR图谱中出现四个新的红外吸收峰,并随温度升高先增强后减弱,这些红外吸收峰被认为与氮-空位复合体有关.通过构建原子结构模型并进行理论模拟计算分析,表明在新出现的红外吸收峰中有两个与双氮-双空位(N2V2)结构相关的红外吸收峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	汪雷	浙江大学硅材料国家重点实验室	41	646	13.0	25.0
4	陈海龙	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	17	2.0	3.0