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沈阳成功研制我国首台自主知识产权的硅电容传感器
沈阳成功研制我国首台自主知识产权的硅电容传感器
作者:
天竹
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
自主知识产权
硅电容传感器
沈阳
复合传感器
科学研究院
仪表
摘要:
我国首台具有自主知识产权的硅电容传感器在沈阳问世。由沈阳仪表科学研究院研制的硅电容传感器及硅复合传感器将大规模投入生产。
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篇名
沈阳成功研制我国首台自主知识产权的硅电容传感器
来源期刊
辽宁科技参考
学科
工学
关键词
自主知识产权
硅电容传感器
沈阳
复合传感器
科学研究院
仪表
年,卷(期)
2006,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
12
页数
1页
分类号
TP212
字数
语种
DOI
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2006(0)
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二级参考文献(0)
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研究主题发展历程
节点文献
自主知识产权
硅电容传感器
沈阳
复合传感器
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研究来源
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主办单位:
辽宁省科学技术厅
出版周期:
月刊
ISSN:
CN:
开本:
出版地:
沈阳市沈河区青年大街274号
邮发代号:
创刊时间:
语种:
出版文献量(篇)
1424
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