CsI高压超导电性的第一性原理

• 作者: 崔田 张淼 辛春雨 邹广田 马琰铭
• 来源期刊: 吉林大学学报（理学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 高压 超导电性 CsI
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 625-628
• 页数: 4页
• 分类号: O521.21
• 字数: 1995字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-5489.2006.04.022

摘要

利用基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了高压下CsI的电子能带结构、电子态密度、声子谱、声子态密度以及电子和声子的相互作用, 探讨了CsI在高压下产生超导电性的物理机制. 研究表明, CsI层内的光学振动模式与电子之间的强耦合作用是CsI产生超导电性的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	辛春雨	白城师范学院物理系	24	63	3.0	7.0
2	邹广田	吉林大学超硬材料国家重点实验室	71	390	9.0	16.0
3	张淼	吉林大学超硬材料国家重点实验室	23	79	4.0	8.0
4	崔田	吉林大学超硬材料国家重点实验室	28	39	4.0	5.0
5	马琰铭	吉林大学超硬材料国家重点实验室	20	15	2.0	2.0