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摘要:
通过对发光二极管内部结构的研究,发现Nt(界面态陷阱密度)和扩散电流比率是影响发光二极管性能的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.器件内部存在的多种噪声中,低频1/f噪声可表征Nt和扩散电流比率.在深入研究发光二极管工作原理及1/f噪声载流子数涨落理论和迁移率涨落理论的基础上,建立了发光二极管的电性能模型及1/f噪声模型.在输入电流宽范围变化的条件下测量了器件的电学噪声,实验结果与理论模型符合良好.通过对其测量结果分析,深入研究了噪声和发光二极管性能与可靠性的关系,证明了噪声幅值越大,电流指数越接近于2,器件可靠性越差,失效率则显著增大.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 发光二极管可靠性的噪声表征
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 1/f噪声 发光二极管 陷阱 光功率
年,卷(期) 2006,(3) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 1384-1389
页数 6页 分类号 O53
字数 5037字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.03.065
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 庄奕琪 西安电子科技大学微电子学院 183 1168 15.0 22.0
2 胡瑾 西安电子科技大学技术物理学院 4 55 3.0 4.0
3 杜磊 西安电子科技大学技术物理学院 99 486 13.0 18.0
4 包军林 西安电子科技大学微电子学院 43 306 10.0 16.0
5 周江 西安电子科技大学技术物理学院 4 39 2.0 4.0
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1/f噪声
发光二极管
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光功率
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