LDMOS在正常开关工作下的瞬态热效应

• 作者: 李梅芝 郭超 陈星弼
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热路模型 公式 降温 热缓慢击穿
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1989-1993
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3752字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.020

摘要

利用热等效电路对外加连续脉冲产生的热效应中晶格温度的上升及下降作了研究并与实验进行了比较.结果表明,若高频脉冲的延迟时间大于降温驰豫时间,则器件处于热安全工作区.对热阻为3.5K/W,热容为5μs·W/K的LDMOS,如脉冲频率小于7.14kHz且占空比为0.5,或脉冲频率为10kHz且占空比小于0.3,则该器件工作在热安全区.文中还给出了功率器件热安全工作区的判据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈星弼	电子科技大学微电子与固体电子学院	31	254	8.0	15.0
2	李梅芝	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	16	2.0	4.0
3	郭超	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	23	2.0	2.0