电子束辐照对聚酰亚胺电气性能的影响

• 作者: 刘晓东 张要强 郑晓泉 马丽婵
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 聚酰亚胺 纳米改性 电子辐射 介电性能
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 性能研究
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: TM215.1|TQ323.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2006.06.012

摘要

研究了高能电子束辐照对聚酰亚胺薄膜(PI)试样电气性能的影响.实验发现高能电子束辐照后PI的介电常数减小,电导率增大,电损耗增大.利用原位聚合法把70纳米Al2O3粒子引入到PI薄膜中,对材料进行改性,实验发现改性后PI薄膜抗高能电子束辐射能力得到加强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑晓泉	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	89	1360	21.0	33.0
2	刘晓东	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	95	1440	19.0	33.0
3	张要强	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	12	183	7.0	12.0
4	马丽婵	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	7	108	5.0	7.0