真空热处理对CoFe薄膜结构及电磁特性的影响

• 作者: 吴平 潘礼庆 白翠琴 谭红革 邱宏
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CoFe薄膜 电子束蒸发 各向异性磁电阻 退火
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 219-222
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2449字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.03.014

摘要

在本底真空度优于5×10-4 Pa的室温条件下,利用电子束蒸发方法沉积CoFe薄膜,研究了不同退火温度对CoFe薄膜结构和电磁特性的影响.样品采用热氧化Si为基片,在3×10-5 Pa真空度下分别进行了150、280、330、450和500℃的60min退火处理.电阻率和磁电阻测量表明,450℃退火处理能够明显降低CoFe薄膜电阻率和提高磁电阻变化率,因为这时的X射线衍射谱显示CoFe薄膜的结构已明显改善.还发现沉积在热氧化Si基片上的CoFe薄膜(111)晶面面间距明显小于靶材相应晶面面间距,而退火处理会使薄膜(111)晶面面间距接近恢复到靶材.透射电镜对沉积态样品分析表明,样品呈多晶结构但结晶不太理想.振动样品磁强计(VSM)的磁特性测量发现,500℃真空退火处理,薄膜的矫顽力和饱和磁化强度都提高近一倍,分别由室温沉积态的2337 A/m和327 emu/cm3上升到退火后的4746 A/m和649 emu/cm3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白翠琴	中国民用航空学院理学院	2	9	1.0	2.0
3	吴平	北京科技大学应用科学学院	93	481	11.0	17.0
4	谭红革	中国民用航空学院理学院	2	9	1.0	2.0
5	潘礼庆	北京科技大学应用科学学院	30	180	8.0	12.0
6	邱宏	北京科技大学应用科学学院	37	225	9.0	13.0