不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射

• 作者: 刘如彬 姚江宏 张冠杰 徐波 林耀望 王占国 皮彪 舒强 舒永春 许京军 邢晓东 陈涌海
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 喇曼散射 应变效应 限制效应
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1012-1015
• 页数: 4页
• 分类号: TN244
• 字数: 3058字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.011

摘要

利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs量子点的声子频率由于应变释放发生红移.在加入InAlAs应变缓冲层的样品中,类AlAs声子峰随L增大发生了蓝移,从侧面证实了InAs量子点层的应变释放过程.