GaN基HEMT场板结构研究进展

• 作者: 蔡树军 默江辉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氦化镓基高电子迁移率晶体管 场板 击穿电压
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 401-405
• 页数: 5页
• 分类号: TN7
• 字数: 2142字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.06.001

摘要

综述了近年来GaN基HEMT场板结构研究的最新进展,介绍了场板结构定义以及提高栅漏击穿电压的原理,总结了均匀场板结构、台阶场板结构、多层场板结构、双场板结构等对栅漏击穿电压BVGD的改善情况,叙述了栅终端场板和源终端场板的功率附加效率(PAE)、截止频率fT、最大振荡频率fMAX、增益等微波特性的不同点,获得了最佳场板结构以及场板连接方式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡树军	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	45	3.0	6.0
2	默江辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	22	1.0	4.0