反应离子刻蚀与离子刻蚀方法的研究与比较

• 作者: 刘希 吉争鸣 吴培亨 孙静 康琳 赵少奇 郝西萍
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 反应离子刻蚀RIE 离子刻蚀 SEM成像
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 224-227
• 页数: 4页
• 分类号: O51
• 字数: 3057字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2006.03.005

摘要

在制备所有的NbN超导隧道结的过程中,为了得到良好的隧道结,刻蚀是很关键的一步,我们对反应离子刻蚀(RIE)和离子刻蚀两种不同的方法进行了研究比较.通过对多层结构用三种不同的方法刻蚀,再进行SEM观察切面图像,发现离子刻蚀出来的薄膜边缘,与离子源与基片摆放的方向有很大的关系,而RIE刻蚀的结区边缘较为平缓且结果稳定,有利于我们制备更好质量的超导隧道结.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴培亨	南京大学电子系超导电子学研究所	93	237	8.0	12.0
2	孙静	南京大学电子系超导电子学研究所	16	101	7.0	10.0
3	康琳	南京大学电子系超导电子学研究所	57	212	8.0	12.0
4	刘希	南京大学电子系超导电子学研究所	5	38	2.0	5.0
5	赵少奇	南京大学电子系超导电子学研究所	5	49	3.0	5.0
6	吉争鸣	南京大学电子系超导电子学研究所	36	111	6.0	9.0
7	郝西萍	南京大学电子系超导电子学研究所	1	33	1.0	1.0