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摘要:
设计了一个1 kb EEPROM IP电路,包括1.2 μm EEPROM工艺和EEPROM IP电路的设计.通过对电路结构的改进和对电路的优化设计,达到了低压低功耗的要求,并可以在较大的电压范围内工作.采用与CMOS工艺兼容的1.2 μm EEPROM工艺进行流片,降低了生产成本,适用于RF ID系统.
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一种应用于可编程模拟电路的EEPROM单元
单层多晶EEPROM
浮栅
FN隧道
附加栅
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 用于RF ID的EEPROM技术及IP设计
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 RF ID EEPROM 灵敏放大器 电荷泵
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 12-15
页数 4页 分类号 TN722.1
字数 1375字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.01.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱钧 清华大学微电子学研究所 43 464 12.0 20.0
2 潘立阳 清华大学微电子学研究所 20 173 5.0 13.0
3 刘志弘 清华大学微电子学研究所 20 75 4.0 8.0
4 伍冬 清华大学微电子学研究所 13 41 3.0 6.0
5 冀康灵 清华大学微电子学研究所 1 21 1.0 1.0
6 肖方兴 清华大学微电子学研究所 1 21 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
RF ID
EEPROM
灵敏放大器
电荷泵
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
总被引数(次)
21140
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