AlGaN/GaN异质结Ni/Au肖特基表面处理及退火研究

• 作者: 万辉 冯倩 王冲 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaN/GaN 肖特基接触 表面处理 退火
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6085-6089
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3309字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.085

摘要

采用O2等离子体及HF溶液对AlGaN/GaN异质结材料进行表面处理后,Ni/Au肖特基接触特性比未处理有了明显改善,反向泄漏电流减小3个数量级.对制备的肖特基接触进行200-600℃5min的N2气氛退火,发现退火冷却后肖特基反向泄漏电流随退火温度增大进一步减小.N2气中600℃退火后肖特基二极管C-V特性曲线在不同频率下一致性变好,这表明退火中Ni向材料表面扩散减小了表面陷阱密度;C-V特性曲线随退火温度增大向右移动,从二维电子气耗尽电压绝对值减小反映了肖特基势垒的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	王冲	西安电子科技大学微电子研究所	17	107	7.0	9.0
3	冯倩		2	19	2.0	2.0
4	万辉		1	15	1.0	1.0