基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
介绍了一种宽带CMOS低噪声放大器设计方法,采用噪声抵消技术消除输入MOS管的噪声贡献.芯片采用TSMC 0.25μm 1P5M RF CMOS工艺实现.测试结果表明:在50~860MHz工作频率内,电压增益约为13.4dB;噪声系数在2.4~3.5dB之间;增益1dB压缩点为-6.7dBm;输入参考三阶交调点为3.3dBm.在2.5V直流电压下测得的功耗约为30mW.
推荐文章
用于FM调谐器的新式低噪声放大器设计
低噪声放大器
射频
调频调谐器
BiCMOS
CMOS宽带低噪声放大器的设计
低噪声放大器
宽带
噪声抵消技术
不平衡变换器
互补金属氧化物半导体
一种射频CMOS低噪声放大器的设计
CMOS集成电路
低噪声放大器
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 一种用于电视调谐器的宽带CMOS低噪声放大器设计
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 宽带低噪声放大器 噪声系数 线性度 噪声抵消
年,卷(期) 2006,(11) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 2029-2034
页数 6页 分类号 TN4
字数 4116字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.028
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 闵昊 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 108 1103 18.0 27.0
2 唐长文 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 33 330 11.0 16.0
3 廖友春 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 1 15 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (4)
节点文献
引证文献  (15)
同被引文献  (2)
二级引证文献  (8)
1997(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2001(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2003(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2004(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2006(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2007(2)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(0)
2008(6)
  • 引证文献(6)
  • 二级引证文献(0)
2009(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2010(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2011(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2012(3)
  • 引证文献(3)
  • 二级引证文献(0)
2013(3)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(1)
2015(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2017(2)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(2)
2018(2)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(2)
2020(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
宽带低噪声放大器
噪声系数
线性度
噪声抵消
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导