ITO薄膜射频磁控溅射法制备及性能研究

• 作者: 夏冬林 杨晟 王树林 赵修建
• 来源期刊: 玻璃与搪瓷
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射法 ITO 导电薄膜 光电性能 玻璃基片
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与实验报告
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.92
• 字数: 2699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2871.2006.04.003

摘要

以10% SnO2和90% In2O3(以质量计)烧结成的ITO氧化物陶瓷为靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃基片成功地制备出光电性能优异的ITO透明导电薄膜.研究了基片温度和氧分压溅射工艺参数对ITO薄膜的结构和光电性能的影响.实验结果表明,采用氧化铟锡陶瓷靶射频磁控溅射制备的ITO薄膜沿(222)晶面生长,薄膜紫外透射光谱的吸收截止边带随着衬底温度和氧分压的升高向短波长方向漂移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵修建	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	220	2735	25.0	43.0
2	夏冬林	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	43	437	11.0	20.0
3	杨晟	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	9	160	6.0	9.0
4	王树林	武汉工程大学材料科学与工程学院	31	112	6.0	9.0