无中间层双大马士革中FSG刻蚀技术研究

• 作者: 刘恩峰 王怡靖 黄均文
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 双大马士革 无中间层 FSG 刻蚀
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 37-41,48
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 3263字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2006.12.011

摘要

随着超大规模集成技术的发展,芯片尺寸的日益缩小,铜作为连接材料的优越性日益显现.由于铜的反应生成物不具有挥发性,刻蚀很难实现.只有先在硅片上作好双大马士革结构,然后填入铜来实现铜互连.文章研究无中间层双大马士革中FSG刻蚀技术,将刻蚀过程细分为四步实施:VIA通孔刻蚀、BARC刻蚀、Trench沟槽刻蚀和阻挡层刻蚀(Nirtide Remove),解决刻蚀过程中出现的主要问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘恩峰	上海交通大学微电子学院	3	7	1.0	2.0
2	王怡靖	上海交通大学微电子学院	1	6	1.0	1.0
6	黄均文		1	6	1.0	1.0