InP(001)衬底上的InAs量子线

• 作者: 吴巨 王占国
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子线 InAs 分子束外延
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 197-203
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 321字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.002

摘要

在分子束外延生长的InAs/In0.52Al0.48As/InP异质结体系中,形成InAs量子线.这些InAs量子线在生长和结构方面有一些独到的特性,并介绍了本实验室在研究InAs量子线的生长和结构方面所做的工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	101	701	15.0	23.0
2	吴巨	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	11	15	2.0	3.0