表面态对GaN HEMT电流崩塌效应影响的研究

• 作者: 杜江峰 杨谟华 罗谦 赵子奇 靳翀
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN高电子迁移率晶体管 电流崩塌 脉冲测试 表面态
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 121-124
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2096字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2006.03.002

摘要

针对GaN HEMT电流崩塌物理效应,测试了各种条件下器件I-V特性.发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23.8%,且随着栅脉冲宽度减小或周期增大而下降,并且获得了其输出电流与脉冲宽度W和周期T的定量关系;在漏脉冲测试条件下,器件输出电流有所增 大,并随着脉冲宽度减小而缓慢增大.实验结果,可用器件栅漏之间表面态充放电的原理来解释所观察到的测试现象和电流崩塌物理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨谟华	电子科技大学微电子与固体电子学院	58	278	8.0	11.0
2	靳翀	电子科技大学微电子与固体电子学院	9	23	3.0	4.0
3	罗谦	电子科技大学微电子与固体电子学院	19	63	5.0	6.0
4	杜江峰	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	15	2.0	3.0
5	赵子奇	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	19	3.0	4.0