掺杂物对MgB2超导电性能影响的研究进展

• 作者: 刘敏 周美玲 王颖 索红莉 马红霞
• 来源期刊: 低温与超导
• 学科: 物理学
• 关键词: MgB2 临界电流密度Jc 不可逆磁场Hirr 纳米掺杂
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 超导技术
• 页码范围: 118-122
• 页数: 5页
• 分类号: O51
• 字数: 2391字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7100.2006.02.012

摘要

总结了不同掺杂物对MgB2超导电性能影响的研究现状,具体介绍了不同粒度、不同类型的掺杂物对MgB2超导电性的影响.目前的研究结果表明:所有掺杂都降低了MgB2的临界转变温度,而除Cu外的大部分掺杂物都可改善MgB2的不可逆磁场Hirr,提高其临界电流密度Jc;在所有掺杂物中,纳米级SiC掺杂对MgB2的超导电性能改进最大.基于目前的研究现状和结果,最后文中对MgB2超导材料的应用前景进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周美玲	北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室	130	2123	22.0	42.0
2	索红莉	北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室	58	156	8.0	10.0
3	刘敏	北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室	59	238	8.0	13.0
4	马红霞	北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0
5	王颖	北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室	28	87	5.0	8.0