热退火对MSM Al0.3Ga0.7N紫外探测器暗电流的影响

• 作者: 司俊杰 成彩晶 鲁正雄
• 来源期刊: 航空兵器
• 学科: 工学
• 关键词: MSM 退火 肖特基接触 I-V特性
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 红外与激光技术
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: TJ760.5
• 字数: 1907字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5048.2006.01.009

摘要

在以MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N上用Au制成了MSM结构的紫外光伏二极管.在N2氛围下以不同温度对器件进行了退火实验,退火时间为10 min. 室温I-V曲线表明,500 ℃退火能有效地减小器件的暗电流, 但是暗电流随反偏电压的增加上升很快, 700 ℃退火后器件的紫外光响应的光电流随反偏电压的增加也上升很快, 这是镜象力和隧道效应影响使势垒高度ΦB随反偏电压的增加而略微下降造成.适当的退火温度能减少器件暗电流是因为降低了Al0.3Ga0.7N表面和体内的陷阱和位错密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲁正雄		19	80	5.0	7.0
2	司俊杰		33	160	7.0	11.0
3	成彩晶		12	22	3.0	3.0