直流反应磁控溅射法制备锐钛矿TiO2薄膜

• 作者: 任时朝 卢景霄 宋金生 张丽伟 张利伟 郭云德
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: TiO2薄膜 直流反应磁控溅射 锐钛矿
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 174-176,195
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2542字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2006.02.018

摘要

采用直流反应磁控溅射的方法, 溅射高纯钛靶在玻璃衬底上制备了TiO2薄膜.用XRD测试了TiO2薄膜的结构,研究了工艺因素中衬底温度、溅射气压、氧氩气体流量比和退火温度对薄膜结构的影响.实验结果表明:衬底温度高于200℃、溅射气压不高于0.7Pa、氧氩流量比为1/4、退火温度为650℃时,锐钛矿TiO2薄膜更容易结晶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张丽伟	郑州大学材料物理教育部重点实验室	17	90	7.0	9.0
5	卢景霄	郑州大学材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
6	张利伟	郑州大学材料物理教育部重点实验室	10	109	7.0	10.0
7	任时朝		6	9	1.0	3.0
8	郭云德		8	9	1.0	3.0
9	宋金生		1	9	1.0	1.0