GaAs/AlGaAs超晶格微带带宽的计算

• 作者: 周均铭 张健 李华 程兴奎 贺利军 黄绮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超晶格 电子态 微带带宽 计算法
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 59-62
• 页数: 4页
• 分类号: O471.5
• 字数: 1650字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.012

摘要

利用MBE设备制备GaAs/AlGaAs超晶格材料,在低温(T=77K)下测量样品的光电流谱,从电子波动的观点出发,通过考虑电子波在超晶格阱层/势垒层的反射和干涉,讨论了超晶格的电子态.提出了一种计算超晶格微带带宽的方法,并计算了GaAs/AlGaAs超晶格的微带带宽.理论计算结果和实验结果符合得相当好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李华	山东大学物理与微电子学院	112	398	11.0	17.0
2	程兴奎	山东大学物理与微电子学院	24	80	5.0	7.0
3	周均铭	中国科学院物理研究所	29	95	6.0	8.0
4	黄绮	中国科学院物理研究所	26	106	7.0	9.0
5	张健	山东大学物理与微电子学院	111	517	13.0	17.0
6	贺利军	山东大学物理与微电子学院	2	6	2.0	2.0