N2掺杂p型ZnO及ZnO同质p-n结LED的制备

• 作者: 吕有明 姚斌 张吉英 张振中 李炳辉 申德振 矫淑杰 范希武 赵东旭 郑著宏 魏志鹏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 发光二极管 N掺杂
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1026-1028
• 页数: 3页
• 分类号: O482.31|TN383.1
• 字数: 1504字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.06.037

摘要

采用射频等离子体辅助分子束外延方法,以N2作为掺杂源,以O2作为辅助分解的气体和氧源,通过等离子体光谱的实时监测来控制掺杂源中各组分的含量,制备了p型ZnO薄膜及同质p-n结.I-V曲线显示该p-n结具有整流特性,直流驱动下获得了稳定的室温电致发光,包括位于420 nm附近的发光峰和500～700 nm的发光带.