平面平行真空微电子二极管中二分之三次方关系式的应用

• 作者: 丁耀根 刘光诒 吕永积 夏善红 李宏彦 杨久霞 陈博贤
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 平面平行真空微电子二极管 二分之三次方关系式 空间电荷
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 场发射与真空微纳电子会议专辑
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: TN873
• 字数: 3059字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2006.01.010

摘要

在一定的假定条件下,考虑空间电荷影响,平面平行真空微电子(P-VMD)二极管中电流-电压近似按二分之三次方关系式工作.本文在此关系式及Forler-Nordheim场发射方程的基础上[2],通过解简化立方方程,进一步推导出管内的电位、电场强度、电子速度和空间电荷密度的分布函数.P-VMD二极管在保持管内结构与阴极表面电场强度不变,并工作在典型工作状态(归一化电位系数p=2/3)情况下,考虑空间电荷影响时的阳极电压、阳极电场强度和阳极电子速度分别比无空间电荷影响时增加约50.00%,73.21%和22.47%.P-VMD二极管内的空间电荷密度分布函数为正割函数,在阳极表面附近为最小,在阴极表面处为无穷大,这是由于本文假设在阴极表面处的电子初速度为零的缘故.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏善红	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	111	654	14.0	18.0
2	丁耀根	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	112	1050	18.0	26.0
3	陈博贤		4	7	2.0	2.0
4	刘光诒	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	8	13	3.0	3.0