Lu2Si2O7∶Ce晶体的闪烁性能

• 作者: 任国浩 姚冬敏 李焕英 秦来顺 陆晟
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 闪烁性能 LPS∶Ce晶体 透射光谱 衰减特性
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 729-734
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31|O782.5
• 字数: 4276字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.05.019

摘要

用提拉法生长了Lu2Si2O7∶Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究.透射光谱表明,Lu2Si2O7∶Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5∶Ce晶体向短波方向移动了25 nm,使透光范围进一步拓宽.X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在378 nm.UV激发发射谱具有温度效应,即375 K以上时,发光效率迅速降低;425 K以上时,发光主峰位明显红移.衰减曲线符合单指数式衰减规律,常温下经UV激发后的衰减时间约为34 ns.从曲线形态看,375 K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同,拟合的结果在32.8～34 ns之间;衰减时间的温度效应从375 K开始显现,即随温度的升高,衰减时间有加速变短的趋势,到500 K时缩短为6.72 ns.热释光谱在488, 553 K处有两个热释光峰,但室温附近几乎观察不到热释光峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任国浩	中国科学院上海硅酸盐研究所	59	357	9.0	15.0
2	秦来顺	中国科学院上海硅酸盐研究所	7	71	5.0	7.0
3	陆晟	中国科学院上海硅酸盐研究所	12	58	5.0	7.0
4	李焕英	中国科学院上海硅酸盐研究所	16	61	5.0	7.0
5	姚冬敏	中国科学院上海硅酸盐研究所	5	17	2.0	4.0