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用射频磁控溅射法在c-BN晶体基底上生长c-BN薄膜
用射频磁控溅射法在c-BN晶体基底上生长c-BN薄膜
作者:
吉晓瑞
宫希亮
张铁臣
李英爱
杜勇慧
杨大鹏
杨旭昕
苏作鹏
赵永年
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
高结晶度
生长速率
生长模式
摘要:
本文用射频磁控溅射方法在片状c-BN晶体基底上生长了c-BN薄膜,显微拉曼光谱(μ-RS)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明:沉积的薄膜是大约10μm厚、高结晶性、电子透明的高纯c-BN薄膜.岛状和层状生长模式在试验中清晰的展示出来.同时在生长的c-BN薄膜内部和被遮盖的基底部分上发现了籽晶.
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文献信息
篇名
用射频磁控溅射法在c-BN晶体基底上生长c-BN薄膜
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
高结晶度
生长速率
生长模式
年,卷(期)
2006,(5)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
953-957
页数
5页
分类号
O78
字数
2608字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.011
五维指标
传播情况
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高结晶度
生长速率
生长模式
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研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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