用于微流控芯片系统的超疏水表面的制备

• 作者: 刘理天 吴建刚 岳瑞峰 康明 曾雪锋 王喆垚 胡欢
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超疏水表面 微机械 ICP刻蚀
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 微细加工技术
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TP3
• 字数: 2035字
• 语种: 中文

摘要

为了分析超疏水表面的物理特性及应用前景,介绍了粗糙超疏水表面的两种理论模型,提出了一种基于MEMS加工技术的超疏水表面制备工艺,即利用ICP刻蚀工艺制备规则的硅方柱,并用旋转涂覆TeflonR AF1600作为疏水薄膜,制备了疏水特性可控的硅表面.对接触角进行了测量,结果表明,在平整Teflon薄膜表面上,去离子水液滴的本征接触角约为117 °,在边长间距比为10 μm/35 μm的方柱表面上的去离子水液滴显现接触角可达170 °.另处,还给出了为避免Wenzel液滴出现的"安全"设计参数(方柱间距边长比小于2.5),以及一种基于润湿性梯度的微流体操控方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳瑞峰	清华大学微电子学研究所	67	379	11.0	15.0
2	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
3	吴建刚	清华大学微电子学研究所	21	236	10.0	14.0
4	曾雪锋	清华大学微电子学研究所	16	183	9.0	13.0
5	康明	清华大学微电子学研究所	10	124	7.0	10.0
6	胡欢	清华大学微电子学研究所	5	34	3.0	5.0
7	王喆垚	清华大学微电子学研究所	16	139	6.0	11.0