基于SiGe量子点实现增强F-N隧穿的低压闪速存储器

• 作者: 刘志宏 彭力 朱军 潘立阳 邓宁 陈培毅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 闪速存储器 SiGe量子点 增强F-N隧穿
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 454-458
• 页数: 5页
• 分类号: TP333
• 字数: 408字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.03.014

摘要

提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/SiGe量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制.模拟结果表明该结构具有高速和高可靠性的优点.测试结果表明该结构的工作电压比传统NAND结构的存储器单元降低了4V.采用该结构能够实现高速、低功耗和高可靠性的半导体闪速存储器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈培毅	清华大学微电子学研究所	52	245	10.0	12.0
2	邓宁	清华大学微电子学研究所	34	145	7.0	10.0
3	潘立阳	清华大学微电子学研究所	20	173	5.0	13.0
4	刘志宏	清华大学微电子学研究所	26	134	6.0	10.0
5	朱军	清华大学微电子学研究所	11	253	5.0	11.0
6	彭力		1	2	1.0	1.0