掺杂氧化钇的ZnO电阻片电性能和微观结构特征

• 作者: 王玉平 马军
• 来源期刊: 电瓷避雷器
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO电阻片 不同氧化钇含量 电性能 微观结构 含钇晶间相
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 避雷器
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TM862
• 字数: 2690字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-8337.2006.06.007

摘要

研究了掺杂氧化钇对D5 ZnO电阻片的电位梯度、方波容量和压比(U5 kA/U1 mA)的影响,结果表明,随着氧化钇含量的增加,电位梯度持续增加,最高达到367 V/mm.当氧化钇含量在0.3%～0.7%时,压比和方波容量性能最好,分别为1.65和246 J/cm3.从微观分析结果,可以看出,上述电性能特征在微观层次上的产生根源是含钇晶间相的总量和分布的变化.通过能谱分析和X射线衍射分析,确定了含钇晶间相的成分范围:Y为10%～50%;Bi、Sb都为15%～25%,主晶相化学组成为Y1.5Sb0.5O3.5.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玉平		23	187	8.0	13.0
2	马军		3	36	3.0	3.0