多孔硅制备条件对其电致发光特性的影响

• 作者: 刘宪云 张宁 李清山 杨亚军 王璟璟 石明吉 赵波 郑学刚 陈达
• 来源期刊: 电化学
• 学科: 化学
• 关键词: 多孔硅(PS) 电致发光(EL) 光致发光(PL) 氧化铟锡(ITO)
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 210-213
• 页数: 4页
• 分类号: O646|O644
• 字数: 1803字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3471.2006.02.018

摘要

应用蒸镀-阳极氧化法制备结构为ITO/PS/p-Si/Al的多孔硅电致发光器件,在7.5V电压下实现了数小时连续电致发光.实验表明,多孔硅电致发光峰位会随着阳极氧化电流密度的增大、腐蚀时间的延长以及HF酸浓度的降低而蓝移.欲制备工作电压较低、发光时间较长、发光效率较高的电致发光样品,则多孔硅制备时的阳极氧化应使用较低电流密度和较短的腐蚀时间.